甩開英特爾！三星投產第二代10nm技術（圖）

2016年04月22日10:46  來源:中關村在線

    據外媒報道，三星本周宣布，將定于今年晚些時候投產第二代10nm芯片生產工藝。目前，三星已經在美國開始向多個半導體公司推廣自家的14nm工藝。

三星投產第二代10nm技術（圖片來自kkj）

　　報道稱，所謂的第二代10nm工藝，有媒體認為是14nm FinFET+。其實目前，14nm FinFET+已經導入了驍龍820、三星Exynos 8890等產品，三星希望可以爭取到更多半導體客戶看到新制程的優越性。

　　因此，三星本周在美國硅谷會晤多個半導體公司，向他們推介自己的14nm工藝。與此同時，三星在內存DRAM顆粒上也在全球率先完成了10nm級的布局，同時本月還將量產18nm工藝產品。

　　至于另外兩家對手在制程工藝方面也進展很快，其中臺積電也在本周表示，預計今年三、四季度會量產10nm工藝。目前已有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜，預計于2017年有15家客戶提交流片。值得一提的是，蘋果將在下半年發布的iPhone 7所搭載的A10芯片，有可能就能用上臺積電10nm工藝。

　　英特爾日前則表示，公司將在2017年下半年推出10納米CPU。不過英特爾的確面臨一些嚴重的問題，因為CPU的制程節點縮小了，良率不高一直困擾CPU的量產。在之前的14nm Broadwell架構上，英特爾也曾面臨很大困難，結果導致桌面和移動處理器上市時間推遲了幾個月。 

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